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圖片信息
JAN1N6629US圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):JAN1N6629US
  • 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:二極管 - 整流器 - 單
  • 點(diǎn)擊此處下載JAN1N6629US的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):JAN1N6629US
  • 制造商:Microsemi Corporation
  • 描述:DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B
  • 系列:二極管 - 整流器 - 單
  • 產(chǎn)品系列:Military, MIL-PRF-19500/590
  • 零件狀態(tài):有源
  • 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn)
  • 電壓-DC反向(Vr)(最大值):880V
  • 電流-平均整流(Io):1.4A
  • 不同If時(shí)電壓-正向(Vf):1.4V @ 1.4A
  • 速度:快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns
  • 不同Vr時(shí)電流-反向泄漏:2μA @ 880V
  • 不同?Vr、F時(shí)電容:40pF @ 10V,1MHz
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:E-MELF
  • 供應(yīng)商器件封裝:D-5B
  • JAN1N6629US均從Microsemi代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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