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圖片信息
STGP10NC60KD圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:STGP10NC60KD
  • 原始制造廠商:ST,意法半導體
  • 技術(shù)標準參數(shù):IGBT 600V 20A 65W TO220
  • 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載STGP10NC60KD的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:STGP10NC60KD
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:IGBT 600V 20A 65W TO220
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列:PowerMESH?
  • 零件狀態(tài):有源
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):20A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):30A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,5A
  • 功率-最大值:65W
  • 開關(guān)能量:55μJ(開),85μJ(關(guān))
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:19nC
  • 25°C時Td(開/關(guān))值:17ns/72ns
  • 測試條件:390V,5A,10歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):22ns
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-220-3
  • STGP10NC60KD均從ST代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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