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圖片信息
SI3993DV-T1-E3圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:SI3993DV-T1-E3
  • 原始制造廠商:Vishay,威世
  • 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
  • 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載SI3993DV-T1-E3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:SI3993DV-T1-E3
  • 制造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列:TrenchFET?
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類型:2 個 P 溝道(雙)
  • FET功能:邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):1.8A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):133 毫歐 @ 2.2A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):5nC @ 4.5V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
  • 功率-最大值:830mW
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
  • SI3993DV-T1-E3均從Vishay代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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